Datasheet SIR426DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 30 А, PPAK SO8 — Даташит

Купить SIR426DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 28 до 4 339 ₽ 32 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 30А; Idm: 70А; 26,7Вт
Стандарт СИЗ Россия	SIR426DP-T1-GE3 Vishay	28 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	SiR426DP-T1-GE3 Vishay	31 ₽	Купить
Берёзка Электронные Компоненты Россия	SIR426DP-T1-GE3 Vishay	от 65 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	SIR426DP-T1-GE3 Vishay	от 100 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 30 А, PPAK SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiR426DP
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.0105 at VGS = 10 V 0.0125 at VGS = 4.5 V ID (A) 30a 30a Qg (Typ.) 9.3 nC

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On State Resistance: 8.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 30 А
• Power Dissipation Pd: 41.7 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SIR426DPT1GE3, SIR426DP T1 GE3