Datasheet SSM3K02T(TE85L,F) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 2.5 А, 30 В, SOT23 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 2.5 А, 30 В, SOT23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SSM3K02T
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM3K02T
High Speed Switching Applications
· · · Small package Low on resistance: Ron = 200 m (max) (VGS = 4 V) : Ron = 250 m (max) (VGS = 2.5 V) Low gate threshold voltage: Vth = 0.6~1.1 V (VDS = 3 V, ID = 0.1 mA) Unit: mm

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 200 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.1 В
• Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 2.5 А
• Тип корпуса: TSM
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 10 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SSM3K02T(TE85LF), SSM3K02T(TE85L F)