Datasheet SSM3K14T(TE85L,F) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 4 А, 30 В, SOT23 — Даташит

Toshiba SSM3K14T(TE85L,F)

Наименование модели: SSM3K14T(TE85L,F)

Купить SSM3K14T(TE85L на РадиоЛоцман.Цены — от 4.77 до 70 ₽ 8 предложений от 5 поставщиков TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)
Akcel Весь мир	SSM3K14T(TE85L,F) Toshiba	от 4.77 ₽
ChipWorker Весь мир	SSM3K14T(TE85L,F) Toshiba	68 ₽
AiPCBA Весь мир	SSM3K14T(TE85L,F) Toshiba	70 ₽
Acme Chip Весь мир	SSM3K14T(TE85L.F) Toshiba	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 4 А, 30 В, SOT23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SSM3K14T
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)
SSM3K14T
DC-DC Converter High Speed Switching Applications
· · · Small Package Low ON-resistance: Ron = 39 m (max) (@VGS = 10 V) : Ron = 57 m (max) (@VGS = 4.5 V) High speed: ton = 24 ns (typ.) : toff = 19 ns (typ.) Unit: mm

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 4 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 39 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
Рассеиваемая мощность: 700 мВт
Корпус транзистора: SOT-23
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
Current Id Max: 4 А
Тип корпуса: TSM
Способ монтажа: SMD
Voltage Vds Typ: 30 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SSM3K14T(TE85LF), SSM3K14T(TE85L F)