Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet TK20A60T(Q) - Toshiba Даташит Полевой транзистор N CH 20 А 600 В TO220 — Даташит

Toshiba TK20A60T(Q)

Наименование модели: TK20A60T(Q)

AiPCBA
Весь мир
TK20A60T(Q)
Toshiba
2 148 ₽
ChipWorker
Весь мир
TK20A60T(Q)
Toshiba
2 164 ₽
Acme Chip
Весь мир
TK20A60T
Toshiba
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
TK20A60T
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор N CH 20 А 600 В TO220

data sheetСкачать Data Sheet

Каталог производителяКаталог производителя

Краткое содержание документа:
Toshiba HV Mosfets
Key product families:
DTMOS : Super Junction style MOSFET -> lower RDS(on) & Qg -MOS VII : Standard MOSFET -> with low Qg and capacitance
New naming system:
Partnumber TK: Nch-MOS TJ: Pch-MOS

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 20 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 190 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Корпус транзистора: TO-220SIS
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 20 А
  • Тип корпуса: TO-220SIS
  • Power Dissipation Pd: 45 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet TK20A60T(Q) - Toshiba MOSFET N CH 20 A 600 V TO220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России