HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet TK6A60D(Q,M) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 6 А, SC-67 — Даташит

Toshiba TK6A60D(Q,M)

Наименование модели: TK6A60D(Q,M)

36 предложений от 18 поставщиков
Транзистор полевой N-канальный 600В 6А, 40Вт
TK6A60D (ST-STP6NK60Z)
STMicroelectronics
15 ₽
AliExpress
Весь мир
Новые оригинальные TK6A60D K6A60D или TK6A60DA или TK6A60DR или TK6A60W или TK6A65D TK6A65W или TK6A80E TO-220F 6A 600V MOSFET
24 ₽
Триема
Россия
TK6A60D (STA4,Q,M)
Toshiba
81 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
TK6A60D
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 6 А, SC-67

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TK6A60D
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS)
TK6A60D
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 3.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 1 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Корпус транзистора: SC-67
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 6 А
  • Power Dissipation Pd: 40 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • AAVID THERMALLOY - 220SA
  • AAVID THERMALLOY - BW50-2G
  • ABL HEATSINKS - 205AB0500B
  • GC ELECTRONICS - 10-8108

Варианты написания:

TK6A60D(QM), TK6A60D(Q M)

На английском языке: Datasheet TK6A60D(Q,M) - Toshiba MOSFET, N CH, 600 V, 6 A, SC-67

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России