Datasheet TPC6005(TE85L,F) - Toshiba Даташит Полевой транзистор N CH 6 А 30 В TSOP6 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор N CH 6 А 30 В TSOP6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TPC6005
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
TPC6005
Notebook PC Applications Portable Equipment Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 21 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 10 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 30 V) Enhancementmode: Vth = 0.5 to 1.2 V (VDS = 10 V, ID = 200 µA) Unit: mm

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 28 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 12 В
• Корпус транзистора: TSOP
• Количество выводов: 6
• Current Id Max: 6 А
• Тип корпуса: VS-6
• Power Dissipation Pd: 2.2 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.2 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

TPC6005(TE85LF), TPC6005(TE85L F)