ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet SI2301BDS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит

Vishay SI2301BDS-T1-E3

Наименование модели: SI2301BDS-T1-E3

33 предложений от 19 поставщиков
Транзистор полевой P-канальный 20В 2.2А 0,9Вт
SI2301BDS-T1-E3
Vishay
5.68 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI2301BDS-T1-E3
Vishay
8.18 ₽
ТаймЧипс
Россия
SI2301BDS-T1-E3-A
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
SI2301BDS-T1-E3
Siliconix
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2301BDS
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.100 at VGS = - 4.5 V 0.150 at VGS = - 2.5 V ID (A)b - 2.4 - 2.0

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -2.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 100 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -950 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 900 мВт
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: -2.2 А
  • Маркировка: SI2301BDS
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Pulse Current Idm: 10 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: -20 В
  • Voltage Vgs Max: -950 мВ
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2301BDST1E3, SI2301BDS T1 E3

На английском языке: Datasheet SI2301BDS-T1-E3 - Vishay MOSFET, P, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России