Datasheet SI2305DS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, TO-236 — Даташит

Vishay SI2305DS-T1-E3

Наименование модели: SI2305DS-T1-E3

Купить SI2305DS-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.36 до 771 ₽ 16 предложений от 13 поставщиков Trans MOSFET P-CH 8V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Akcel Весь мир	SI2305DS-T1-E3 Vishay	от 3.36 ₽
Стандарт СИЗ Россия	SI2305DS-T1-E3 Vishay	6.13 ₽
МосЧип Россия	SI2305DS-T1-E3(NOPB)	по запросу
LifeElectronics Россия	SI2305DS-T1-E3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, TO-236

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2305DS
Vishay Siliconix
P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) -8 RDS(on) () 0.052 at VGS = - 4.5 V 0.071 at VGS = - 2.5 V 0.108 at VGS = - 1.8 V ID (A) ± 3.5 ±3 ±2

Спецификации:

Полярность транзистора: P Channel
Continuous Drain Current Id: -3.5 А
Drain Source Voltage Vds: -8 В
On Resistance Rds(on): 52 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
Threshold Voltage Vgs Typ: -800 мВ
Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
Корпус транзистора: TO-236
Количество выводов: 3
Current Id Max: 3.5 А
Тип корпуса: TO-236
Способ монтажа: SMD
Voltage Vds Typ: -8 В
Voltage Vgs Max: -800 мВ
Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2305DST1E3, SI2305DS T1 E3