ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet SI7439DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, диод, 150 В, 5.2 А, SO8 PPAK — Даташит

Vishay SI7439DP-T1-GE3

Наименование модели: SI7439DP-T1-GE3

24 предложений от 13 поставщиков
P-Channel 150 V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
ЧипСити
Россия
SI7439DP-T1-GE3
Vishay
68 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI7439DP-T1-GE3
Vishay
72 ₽
Akcel
Весь мир
SI7439DP-T1-GE3
Vishay
от 253 ₽
Элитан
Россия
SI7439DP-T1-GE3
Vishay
386 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, диод, 150 В, 5.2 А, SO8 PPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7439DP
Vishay Siliconix
P-Channel 150 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 150 RDS(on) () 0.090 at VGS = - 10 V 0.095 at VGS = - 6 V ID (A) - 5.2 - 5.0

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Drain Source Voltage Vds: -150 В
  • On State Resistance: 0.073 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Voltage Vgs Max: -20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC PowerPAK
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: -5.2 А
  • Power Dissipation Pd: 5.4 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Electrolube - SMA10SL
  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK

Варианты написания:

SI7439DPT1GE3, SI7439DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7439DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, P CH, DIODE, 150 V, 5.2 A, SO8 PPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России