Datasheet SI7540DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 8-SOIC — Даташит

Vishay SI7540DP-T1-E3

Наименование модели: SI7540DP-T1-E3

Купить SI7540DP-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 117 до 269 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков Mosfet Array 12V 7.6A, 5.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
AiPCBA Весь мир	SI7540DP-T1-E3 Vishay	117 ₽
ChipWorker Весь мир	SI7540DP-T1-E3 Vishay	118 ₽
TradeElectronics Россия	SI7540DPT1E3 Vishay	по запросу
Океан Электроники Россия	SI7540DP-T1-E3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 8-SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7540DP
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel 12 RDS(on) () 0.017 at VGS = 4.5 V 0.025 at VGS = 2.5 V 0.032 at VGS = - 4.5 V 0.053 at VGS = - 2.5 V ID (A) 11.8 9.8 - 8.9 - 6.9

Спецификации:

Полярность транзистора: N and P Channel
Continuous Drain Current Id: 11.8 А
Drain Source Voltage Vds: 12 В
On State Resistance: 17 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
Voltage Vgs Max: 1.5 В
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8
Current Id Max: 11.8 А
Тип корпуса: SOIC
Power Dissipation Pd: 3.5 Вт
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
Voltage Vds Typ: 12 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Electrolube - SMA10SL
Roth Elektronik - RE932-01
STANNOL - 631954

Варианты написания:

SI7540DPT1E3, SI7540DP T1 E3