Datasheet SQ4431EY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 30 В, 10.8 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SQ4431EY-T1-GE3
Купить SQ4431EY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 37 до 2 858 ₽ 19 предложений от 10 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 10.8 А, 0.022 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
| SQ4431EY-T1-GE3 Vishay | 37 ₽ | ||
| SQ4431EY-T1_GE3 Vishay | 52 ₽ | ||
| SQ4431EY-T1-GE3 | по запросу | ||
| SQ4431EY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 30 В, 10.8 А, SO8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
SQ4431EY
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = - 10 V RDS(on) () at VGS = - 4.5 V ID (A) Configuration - 30 0.030 0.052 - 10.8 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -10.8 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 0.02 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Рассеиваемая мощность: 6 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Voltage Vgs Max: -20 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - HTS35SL
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
Варианты написания:
SQ4431EYT1GE3, SQ4431EY T1 GE3
