Datasheet SI2311DS-T1-E3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -8 В, 3 А, TO-236 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -8 В, 3 А, TO-236

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2311DS
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) -8 RDS(on) () 0.045 at VGS = - 4.5 V 0.072 at VGS = - 2.5 V 0.120 at VGS = - 1.8 V ID (A) - 3.5 - 2.8 - 2.0

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: -3 А
• Drain Source Voltage Vds: -8 В
• On Resistance Rds(on): 45 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -800 мВ

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2311DST1E3, SI2311DS T1 E3