KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet SI2325DS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CH полевой транзистор, -150 В, 690 мА, TO-236 — Даташит

Vishay SI2325DS-T1-GE3

Наименование модели: SI2325DS-T1-GE3

28 предложений от 15 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 150 В, 530 мА, 1 Ом, SOT-23, Surface Mount
SI2325DS-T1-GE3
Vishay
16 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI2325DS-T1-GE3
Vishay
33 ₽
SI2325DS-T1-GE3
Vishay
от 102 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SI2325DS-T1-GE3
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CH полевой транзистор, -150 В, 690 мА, TO-236

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2325DS
Vishay Siliconix
P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 150 RDS(on) () 1.2 at VGS = - 10 V 1.3 at VGS = - 6.0 V ID (A) - 0.69 - 0.66 Qg (Typ.) 7.7

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -690 мА
  • Drain Source Voltage Vds: -150 В
  • On Resistance Rds(on): 1.3 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -6 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2325DST1GE3, SI2325DS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2325DS-T1-GE3 - Vishay P CH MOSFET, -150 V, 690 mA, TO-236

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России