Datasheet SI2325DS-T1-GE3 - Vishay Даташит P CH полевой транзистор, -150 В, 690 мА, TO-236 — Даташит
Наименование модели: SI2325DS-T1-GE3
Купить SI2325DS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 102 ₽ 28 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 150 В, 530 мА, 1 Ом, SOT-23, Surface Mount | |||
SI2325DS-T1-GE3 Vishay | 16 ₽ | ||
SI2325DS-T1-GE3 Vishay | 33 ₽ | ||
SI2325DS-T1-GE3 Vishay | от 102 ₽ | ||
SI2325DS-T1-GE3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CH полевой транзистор, -150 В, 690 мА, TO-236
Краткое содержание документа:
Si2325DS
Vishay Siliconix
P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 150 RDS(on) () 1.2 at VGS = - 10 V 1.3 at VGS = - 6.0 V ID (A) - 0.69 - 0.66 Qg (Typ.) 7.7
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -690 мА
- Drain Source Voltage Vds: -150 В
- On Resistance Rds(on): 1.3 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -6 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2325DST1GE3, SI2325DS T1 GE3