HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI3851DV-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 1.8 А — Даташит

Vishay SI3851DV-T1-GE3

Наименование модели: SI3851DV-T1-GE3

AiPCBA
Весь мир
SI3851DV-T1-GE3
Vishay
31 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI3851DV-T1-GE3
Vishay
31 ₽
Akcel
Весь мир
SI3851DV-T1-GE3
Vishay
по запросу
Acme Chip
Весь мир
Si3851DV-T1-GE3
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 1.8 А

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel / Schottky Diode
  • Continuous Drain Current, Id: 1.8 А
  • Drain Source Voltage, Vds: -30 В
  • On Resistance, Rds(on): 0.2 Ом
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs: -10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI3851DVT1GE3, SI3851DV T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI3851DV-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -30 V, 1.8 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России