HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI9407BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 60 В, 4.7 А, 8SOIC — Даташит

Vishay SI9407BDY-T1-GE3

Наименование модели: SI9407BDY-T1-GE3

23 предложений от 11 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 4.7 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface Mount
SI9407BDY-T1-GE3
Vishay
12 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI9407BDY-T1-GE3
Vishay
27 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI9407BDY-T1-GE3
Vishay
42 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
SI9407BDY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, 60 В, 4.7 А, 8SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -4.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: -60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.1 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 5 Вт
  • RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI9407BDYT1GE3, SI9407BDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI9407BDY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, P CH, 60 V, 4.7 A, 8SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России