Datasheet SIB419DK-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, PPAK SC-75 — Даташит
Наименование модели: SIB419DK-T1-GE3
Купить SIB419DK-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 84 до 86 ₽ 5 предложений от 5 поставщиков P-Channel 12 V 9A (Tc) 2.45W (Ta), 13.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6 | |||
| SIB419DK-T1-GE3 Vishay | 84 ₽ | ||
| SIB419DK-T1-GE3 Vishay | 86 ₽ | ||
| SIB419DK-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
| SIB419DK-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P, PPAK SC-75
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
New Product
SiB419DK
Vishay Siliconix
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 9 А
- Drain Source Voltage Vds: -12 В
- On State Resistance: 60 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 8 В
- Voltage Vgs Max: -1 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SC-75
- Количество выводов: 6
- Current Id Max: -9 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Тип корпуса: SC-75
- Power Dissipation Pd: 13.1 Вт
- Rise Time: 42 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
- Voltage Vds Typ: 12 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Max: 1 В
- Voltage Vgs th Min: 0.4 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
Варианты написания:
SIB419DKT1GE3, SIB419DK T1 GE3
