Datasheet SI2308BDS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 2.3 А, SOT23-3 — Даташит

Купить SI2308BDS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 6.08 до 93 ₽ 32 предложений от 14 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 2.3 А, 0.13 Ом, TO-236, Surface Mount
Стандарт СИЗ Россия	SI2308BDS-T1-GE3 Vishay	6.08 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SI2308BDS-T1-GE3 Vishay	12 ₽	Купить
Триема Россия	SI2308BDS-T1-GE3 Vishay	36 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	SI2308BDS-T1-GE3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 2.3 А, SOT23-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si2308BDS
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On State Resistance: 130 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 1.9 А
• Power Dissipation Pd: 1.09 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• CHEMTRONICS - CW8400
• MULTICORE (SOLDER) - 698840
• Roth Elektronik - RE901

Варианты написания:

SI2308BDST1GE3, SI2308BDS T1 GE3