Datasheet SI7174DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Купить SI7174DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 68 до 814 ₽ 25 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 60А; Idm: 80А; 66,5Вт
Стандарт СИЗ Россия	SI7174DP-T1-GE3 Vishay	68 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI7174DP-T1-GE3 Vishay	145 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SI7174DP-T1-GE3 Vishay	250 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	SI7174DP-T1-GE3 Vishay	от 423 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si7174DP
Vishay Siliconix
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 60 А
• Drain Source Voltage Vds: 75 В
• On State Resistance: 7 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
• Voltage Vgs Max: 4.5 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK SO
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 60 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Тип корпуса: PowerPAK
• Power Dissipation Pd: 104 Вт
• Rise Time: 11 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
• Voltage Vds Typ: 75 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: 2.5 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

SI7174DPT1GE3, SI7174DP T1 GE3