HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SIHG16N50C-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 500 В, 16 А, TO-247AC — Даташит

Vishay SIHG16N50C-E3

Наименование модели: SIHG16N50C-E3

19 предложений от 10 поставщиков
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 250W; TO247AC
SIHG16N50C-E3
Vishay
53 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SIHG16N50C-E3
Vishay
60 ₽
ChipWorker
Весь мир
SIHG16N50C-E3
Vishay
388 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
SIHG16N50C-E3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 500 В, 16 А, TO-247AC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiHG16N50C
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) at TJ max.

RDS(on) () Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration 560 V VGS = 10 V 68 17.6 21.8 Single

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On State Resistance: 0.317 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: TO-247AC
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 16 А
  • Power Dissipation Pd: 250 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • MULTICORE (SOLDER) - 1399075-M

Варианты написания:

SIHG16N50CE3, SIHG16N50C E3

На английском языке: Datasheet SIHG16N50C-E3 - Vishay MOSFET, N CH, DIODE, 500 V, 16 A, TO-247AC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России