Datasheet SIS892DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 100 В, 30 А, PPAK12128 — Даташит

Купить SIS892DN-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 4 918 ₽ 21 предложений от 10 поставщиков N-Channel 100 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
ЧипСити Россия	SIS892DN-T1-GE3 Vishay	42 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SIS892DN-T1-GE3 Vishay	44 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	SIS892DN-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
Flash-Turtle Весь мир	SIS892DN-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 100 В, 30 А, PPAK12128

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiS892DN
Vishay Siliconix
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 100 RDS(on) () 0.029 at VGS = 10 V 0.042 at VGS = 4.5 V ID (A)f 30g 25 Qg (Typ.) 6.7 nC

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 0.024 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK 1212
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 8 А
• Power Dissipation Pd: 3.7 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
• Electrolube - SMA10SL

Варианты написания:

SIS892DNT1GE3, SIS892DN T1 GE3