Datasheet SQ2308ES-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 60 В, 2.3 А, SOT-23 — Даташит

Vishay SQ2308ES-T1-GE3

Наименование модели: SQ2308ES-T1-GE3

Купить SQ2308ES-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 44 до 117 ₽ 8 предложений от 5 поставщиков MOSFET N-CH D-S 60V TO236
AiPCBA Весь мир	SQ2308ES-T1-GE3 Vishay	44 ₽
Akcel Весь мир	SQ2308ES-T1-GE3 Vishay	от 117 ₽
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	SQ2308ES-T1-GE3 Vishay	по запросу
Acme Chip Весь мир	SQ2308ES-T1-GE3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 60 В, 2.3 А, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQ2308ES
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 2.3 А
Drain Source Voltage Vds: 60 В
On State Resistance: 0.131 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Power Dissipation Pd: 2 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-236
Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SQ2308EST1GE3, SQ2308ES T1 GE3