Datasheet SQ2360EES-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DI & ESD, 60 В, 4.4 А, SOT23 — Даташит

Vishay SQ2360EES-T1-GE3

Наименование модели: SQ2360EES-T1-GE3

Купить SQ2360EES-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 35 до 162 ₽ 10 предложений от 7 поставщиков N-Channel 60 V 4.4A (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
AiPCBA Весь мир	SQ2360EES-T1-GE3 Vishay	35 ₽
ChipWorker Весь мир	SQ2360EES-T1-GE3 Vishay	36 ₽
Akcel Весь мир	SQ2360EES-T1-GE3 Vishay	от 162 ₽
TradeElectronics Россия	SQ2360EES-T1-GE3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, DI & ESD, 60 В, 4.4 А, SOT23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQ2360EES
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 4.4 А
Drain Source Voltage Vds: 60 В
On State Resistance: 0.058 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Power Dissipation Pd: 3 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-236
Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SQ2360EEST1GE3, SQ2360EES T1 GE3