LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet SQ4840EY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 40 В, 20.7 А, SO8 — Даташит

Vishay SQ4840EY-T1-GE3

Наименование модели: SQ4840EY-T1-GE3

11 предложений от 8 поставщиков
N-Channel 40 V 20.7A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
AiPCBA
Весь мир
SQ4840EY-T1-GE3
Vishay
65 ₽
ChipWorker
Весь мир
SQ4840EY-T1-GE3
Vishay
89 ₽
ЧипСити
Россия
SQ4840EY-T1-GE3
Vishay
103 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SQ4840EYT1_GE3
18 914 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 40 В, 20.7 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQ4840EY
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 40 0.009 0.012 20.7 Single

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 20.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On State Resistance: 0.0075 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Power Dissipation Pd: 7.1 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SQ4840EYT1GE3, SQ4840EY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SQ4840EY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, W DIODE, 40 V, 20.7 A, SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России