Datasheet SQJ456EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 32 А, PPAK8L — Даташит

Vishay SQJ456EP-T1-GE3

Наименование модели: SQJ456EP-T1-GE3

Купить SQJ456EP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 127 до 22 770 ₽ 16 предложений от 9 поставщиков N-Channel 100 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
AiPCBA Весь мир	SQJ456EP-T1_GE3 Vishay	127 ₽
ChipWorker Весь мир	SQJ456EP-T1-GE3 Vishay	249 ₽
ЭИК Россия	SQJ456EP-T1-GE3 Vishay	от 558 ₽
МосЧип Россия	SQJ456EP-T1-GE3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 32 А, PPAK8L

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQJ456EP
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 6 V ID (A) Configuration

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 32 А
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On State Resistance: 0.021 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Power Dissipation Pd: 83 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: PowerPAK SO
Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SQJ456EPT1GE3, SQJ456EP T1 GE3