Datasheet SQR40N10-25-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 40 А, DPAK — Даташит
Наименование модели: SQR40N10-25-GE3
Купить SQR40N10-25-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 99 до 9 444 ₽ 5 предложений от 5 поставщиков N-Channel 100 V 40A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK) Reverse Lead | |||
SQR40N10-25-GE3 Vishay | 99 ₽ | ||
SQR40N10-25-GE3 Vishay | 101 ₽ | ||
SQR40N1025_GE3 | 9 444 ₽ | ||
SQR40N10-25-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 40 А, DPAK
Краткое содержание документа:
SQR40N10-25
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 40 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 0.019 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Power Dissipation Pd: 136 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQR40N1025GE3, SQR40N10 25 GE3