Datasheet SI2312BDS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить SI2312BDS-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 6.08 до 53 ₽ 37 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 3.9 А, 0.025 Ом, SOT-23, Surface Mount
Стандарт СИЗ Россия	SI2312BDS-T1-E3 Vishay	6.08 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SI2312BDS-T1-E3 Vishay	11 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SI2312BDS-T1-E3 Vishay	15 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI2312BDS-T1-E3 Vishay	37 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 47 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 850 мВ
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• Семейство: 2312
• Current Id Max: 5 А
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 750µ Вт
• Pulse Current Idm: 15 А
• SMD Marking: M2
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 850 мВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 0.85 В
• Voltage Vgs th Min: 0.45 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2312BDST1E3, SI2312BDS T1 E3