На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet SI2318DS-T1-GE3 - Vishay Даташит N CH полевой транзистор — Даташит

Vishay SI2318DS-T1-GE3

Наименование модели: SI2318DS-T1-GE3

22 предложений от 11 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 2,4А; 0,48Вт; SOT23
T-electron
Россия и страны СНГ
SI2318DS-T1-GE3
Vishay
16 ₽
Элитан
Россия
SI2318DS-T1-GE3
Vishay
32 ₽
ЧипСити
Россия
SI2318DS-T1-GE3
Vishay
53 ₽
Acme Chip
Весь мир
Si2318DS-T1-GE3
Vishay
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CH полевой транзистор

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 36 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Power Dissipation Pd: 750 мВт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2318DST1GE3, SI2318DS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2318DS-T1-GE3 - Vishay N CH MOSFET

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России