Datasheet SI7138DP-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 30 А, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI7138DP-T1-GE3
N-Channel 60 V 30A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | |||
SI7138DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI7138DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI7138DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI7138DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 30 А, SOIC
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 30 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 7.8 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7138DPT1GE3, SI7138DP T1 GE3