Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet SI7386DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 12 А, POWERPAK — Даташит

Vishay SI7386DP-T1-E3

Наименование модели: SI7386DP-T1-E3

24 предложений от 13 поставщиков
N-Channel 30 V 12A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
ЧипСити
Россия
SI7386DP-T1-E3
Vishay
42 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI7386DP-T1-E3
Vishay
44 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI7386DP-T1-E3
Vishay
121 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
SI7386DP-T1-E3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 12 А, POWERPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7386DP
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.007 at VGS = 10 V 0.0095 at VGS = 4.5 V ID (A) 19 17 Qg (Typ.) 11.5

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 12 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0058 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: PowerPAKSO-8
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
  • RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7386DPT1E3, SI7386DP T1 E3

На английском языке: Datasheet SI7386DP-T1-E3 - Vishay MOSFET, N CH, 30 V, 12 A, POWERPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России