LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet SI7866ADP-T1-GE3 - Vishay Даташит N CH полевой транзистор — Даташит

Vishay SI7866ADP-T1-GE3

Наименование модели: SI7866ADP-T1-GE3

11 предложений от 8 поставщиков
N-Channel 20 V 40A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Akcel
Весь мир
SI7866ADP-T1-GE3
Vishay
от 36 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI7866ADP-T1-GE3
Vishay
162 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI7866ADP-T1-GE3
Vishay
162 ₽
SI7866ADP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CH полевой транзистор

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 40 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 3 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 800 мВ
  • Power Dissipation Pd: 5.4 Вт

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7866ADPT1GE3, SI7866ADP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7866ADP-T1-GE3 - Vishay N CH MOSFET

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России