Datasheet DMS3019SSD-13 - Diodes Даташит Полевой транзистор, +SCH, NN CH, 30 В, SO8 — Даташит

Diodes DMS3019SSD-13

Наименование модели: DMS3019SSD-13

Купить DMS3019SSD-13 на РадиоЛоцман.Цены — от 41 до 703 ₽ 12 предложений от 6 поставщиков MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO
AiPCBA Весь мир	DMS3019SSD-13 Diodes	41 ₽
ChipWorker Весь мир	DMS3019SSD-13 Diodes	42 ₽
Элитан Россия	DMS3019SSD-13 Diodes	54 ₽
Utmel Весь мир	DMS3019SSD-13 Diodes	от 703 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, +SCH, NN CH, 30 В, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMS3019SSD
ASYMMETRIC DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Features
· DIOFET utilize a unique patented process to monolithically integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver: · Low RDS(on) minimizes conduction loss · Low VSD reducing the losses due to body diode construction · Low Qrr lower Qrr of the integrated Schottky reduces body diode switching losses · Low gate capacitance (Qg/Qgs) ratio reduces risk of shootthrough or cross conduction currents at high frequencies · Avalanche rugged IAR and EAR rated Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 10 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.4 В
Рассеиваемая мощность: 1.19 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8
SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
Continuous Drain Current Id, N Channel: 7 А
Current Id Max: 9 А
Drain Source Voltage Vds, N Channel: 30 В
Module Configuration: Dual
On Resistance Rds(on), N Channel: 0.01 Ом

RoHS: есть

Варианты написания:

DMS3019SSD13, DMS3019SSD 13