Datasheet IRF7503PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, MICRO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7503PBF
Купить IRF7503PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 49 до 141 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков HEXFET?® Power MOSFET | |||
IRF7503PBF International Rectifier | 49 ₽ | ||
IRF7503PBF International Rectifier | 52 ₽ | ||
IRF7503PBF | по запросу | ||
IRF7503PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, MICRO-8
Краткое содержание документа:
PD- 95346
IRF7503PbF
Lead-Free
www.irf.com
1
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 135 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: MicroSOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 2.4 А
- External Depth: 5.03 мм
- Внешняя длина / высота: 1.11 мм
- Внешняя ширина: 3.05 мм
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Расстояние между выводами: 0.65 мм
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: Micro8
- Способ монтажа: SMD
- Capacitance Ciss Typ: 210 пФ
- Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 48nC
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Gfs Min: 1.9A/V
- On State Resistance Max: 135 МОм
- Pulse Current Idm: 14 А
- Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
- Reverse Recovery Time trr Typ: 40 нс
- Расстояние между рядами выводов: 4.24 мм
- SMD Marking: F7503
- Voltage Vds: 30 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
- Roth Elektronik - RE903