Datasheet IRF9953PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, LOGIC, SO-8 — Даташит

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, LOGIC, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95477
IRF9953PbF
Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance l Dual P-Channel MOSFET l Surface Mount l Very Low Gate Charge and Switching Losses l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Description
l
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 250 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: -2.3 А
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Configuration: c
• Pin Format: 1 S1
• Способ монтажа: SMD
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Pulse Current Idm: 10 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: F9953
• Voltage Vds Typ: -30 В
• Voltage Vgs Max: -1 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01