На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet PMGD400UN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 30 В, SOT363 — Даташит

NXP PMGD400UN,115

Наименование модели: PMGD400UN,115

16 предложений от 10 поставщиков
Dual N-channel TrenchMOS ultra low level FET TSSOP 6-Pin
ЧипСити
Россия
PMGD400UN,115
NXP
32 ₽
AiPCBA
Весь мир
PMGD400UN,115
NXP
34 ₽
ТаймЧипс
Россия
PMGD400UN,115
NXP
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
PMGD400UN,115
NXP
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 30 В, SOT363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMGD400UN
Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
MBD128
Rev.

01 -- 3 March 2004
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: Dual N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 200 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 480 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 410 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Continuous Drain Current Id, N Channel: 710 мА
  • Current Id Max: 710 мА
  • Drain Source Voltage Vds, N Channel: 30 В
  • Module Configuration: Dual
  • On Resistance Rds(on), N Channel: 0.4 Ом
  • Тип корпуса: SOT-363
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: 8 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMGD400UN115, PMGD400UN 115

На английском языке: Datasheet PMGD400UN,115 - NXP MOSFET, N CH, TRENCH DL, 30 V, SOT363

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России