Datasheet SP8K4FU6TB - Rohm Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, 30 В, 9 А — Даташит

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, 30 В, 9 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SP8K4
Transistors
4V Drive Nch+Nch MOS FET
SP8K4
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Данные для моделирования

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 9 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 24 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Корпус транзистора: SOP
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 9 А
• Тип корпуса: SOP-8
• Способ монтажа: SMD
• Pulse Current Idm: 36 А
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
• Voltage Vgs th Max: 2.5 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A
• Roth Elektronik - RE932-01