Datasheet US6M1TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 2.5V/4V, TUMT6 — Даташит

Купить US6M1TR на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 2 718 ₽ 27 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,4/-1А; Idm: 4÷5,6А; 1Вт
Akcel Весь мир	US6M1TR Rohm	от 34 ₽	Купить
ЭИК Россия	US6M1TR Rohm	от 45 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	US6M1TR Rohm	от 57 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	US6M1TR	79 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 2.5V/4V, TUMT6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
US6M1
Transistors
4V Drive Nch+Nch MOS FET
US6M1
Structure Silicon N-channel / P-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 380 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
• Рассеиваемая мощность: 1 Вт
• Корпус транзистора: TUMT
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Capacitance Ciss Typ: 70 пФ
• Current Id Max: 1.4 А
• Fall Time tf: 8 нс
• Module Configuration: Dual
• Тип корпуса: TUMT6
• Pulse Current Idm: 4 А
• Rise Time: 6 нс
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
• Voltage Vgs th Max: 2.5 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть