Datasheet ZXMD63C03X - Diodes Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, MSOP8 — Даташит

Купить ZXMD63C03X на РадиоЛоцман.Цены — от 74 до 170 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков 1800mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MSOP-8
EIS Components Весь мир	ZXMD63C03X_05 Zetex	74 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZXMD63C03X Diodes	169 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	ZXMD63C03X Diodes	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	ZXMD63C03X_05 Zetex	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, MSOP8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMD63C03X
30V DUAL N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY
N-CHANNEL: V(BR)DSS=30V; RDS(ON)=0.135 ; ID=2.3A P-CHANNEL: V(BR)DSS=-30V; RDS(ON)=0.185 ; ID=-2.0A
DESCRIPTION

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 135 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: MSOP
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 2.3 А
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: MSOP8
• Способ монтажа: SMD
• Cont Current Id P Channel: 2 А
• Current Temperature: 25°C
• On State Resistance N Channel Max: 135 МОм
• On State Resistance P Channel Max: 185 МОм
• Pulse Current Idm: 14 А
• SMD Marking: ZXM63C03
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds N Channel: 10 В
• Voltage Vgs Rds P Channel: 10 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В
• Voltage Vgs th N Channel 1 Min: 1 В
• Voltage Vgs th P Channel Min: 1 В

RoHS: есть