Datasheet NTE222 - NTE Electronics Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 25 В, TO-72 — Даташит

Купить NTE222 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 205 до 142 489 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 25В; 50мА; 360мВт; TO72; THT
ЧипСити Россия	NTE222 NTE Electronics	1 205 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE222 NTE Electronics	1 283 ₽	Купить
ЭИК Россия	NTE222 NTE Electronics	от 2 778 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	NTE222	142 489 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 25 В, TO-72

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE222 Field Effect Transistor Dual Gate N­Channel MOSFET
Absolute Maximum Ratings: Drain­Source Voltage, VDS .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Drain­Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Drain Current, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Reverse Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ­10mA Forward Gate Current, IGF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360mW Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 50 мА
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• Power Dissipation Pd: 360 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +175°C
• Количество выводов: 4