Datasheet PMWD26UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8 — Даташит
Наименование модели: PMWD26UN
7 предложений от 4 поставщиков Dual N-channel uTrenchMOS ultra low level FET | |||
| PMWD26UN,518 NXP | от 333 ₽ | ||
| PMWD26UN NXP | по запросу | ||
| PMWD26UN Philips | по запросу | ||
| PMWD26UN /T3 | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PMWD26UN
Dual N-channel µTrenchMOS ultra low level FET
Rev.
02 -- 19 May 2005 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 7.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 30 МОм
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Корпус транзистора: TSSOP
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: TSSOP
- Pin Configuration: D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
- Способ монтажа: SMD
- Семейство: 4
- Capacitance Ciss Typ: 1366 пФ
- On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 40 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 30 МОм
- Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
- Pulse Current Idm: 31.3 А
- SMD Marking: 26UN
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 10 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
