Datasheet IRF7507PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, MICRO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7507PBF
Купить IRF7507PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 117 ₽ 11 предложений от 8 поставщиков транзисторы полевые импортные | |||
| IRF7507PBF,N/Pкан 20В 2.4/-1.7А Micro8 Infineon | 11 ₽ | ||
| IRF7507PBF MOSFET N/P-CH DUAL 20V 2.4/-1.7А | 19 ₽ | ||
| IRF7507PBF International Rectifier | по запросу | ||
| IRF7507PBF | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, MICRO-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PD - 95218
IRF7507PbF
HEXFET® Power MOSFET
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance l Dual N and P Channel MOSFET l Very Small SOIC Package l Low Profile (<1.1mm) l Available in Tape & Reel l Fast Switching l Lead-Free Description
l l
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 135 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: MicroSOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 2.4 А
- External Depth: 5.03 мм
- Внешняя длина / высота: 1.11 мм
- Внешняя ширина: 3.05 мм
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: Micro8
- Способ монтажа: SMD
- Cont Current Id N Channel 2: 2.4 А
- Cont Current Id P Channel: 1.7 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- On State Resistance N Channel Max: 135 МОм
- On State Resistance P Channel Max: 270 МОм
- Pulse Current Idm: 14 А
- Pulse Current Idm N Channel 2: 19 А
- Pulse Current Idm P Channel: 14 А
- Расстояние между рядами выводов: 4.24 мм
RoHS: есть
