Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet PMWD15UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8 — Даташит

NXP PMWD15UN

Наименование модели: PMWD15UN

8 предложений от 5 поставщиков
Dual N-channel mTrenchMOS ultra low level FET
Utmel
Весь мир
PMWD15UN,518
NXP
от 15 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PMWD15UN
Philips
по запросу
Acme Chip
Весь мир
PMWD15UN,118
Philips
по запросу
ТаймЧипс
Россия
PMWD15UN
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMWD15UN
Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
Rev.

04 -- 5 April 2005 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: Dual N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 11.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 18.5 МОм
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 450 мВ
  • Корпус транзистора: TSSOP
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: TSSOP
  • Pin Configuration: D-com(1+8), S1(2+3), G1(4), S2(6+7), G2(5)
  • Способ монтажа: SMD
  • Семейство: 2
  • Capacitance Ciss Typ: 1450 пФ
  • On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 28.5 МОм
  • On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 18.5 МОм
  • Power Dissipation Pd: 4.2 Вт
  • Pulse Current Idm: 46.4 А
  • SMD Marking: 15UN
  • Voltage Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Max: 12 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMWD15UN - NXP MOSFET, N, TSSOP-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России