Datasheet ZXMN3A04DN8 - Diodes Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SO-8 — Даташит

Купить ZXMN3A04DN8 на РадиоЛоцман.Цены — от 29 до 7 151 ₽ 22 предложений от 12 поставщиков Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
AiPCBA Весь мир	ZXMN3A04DN8TA Diodes	29 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	ZXMN3A04DN8TA Diodes	30 ₽	Купить
Akcel Весь мир	ZXMN3A04DN8TA Diodes	от 108 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	ZXMN3A04DN8TA Zetex	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Данные для моделирования

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 7.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 25 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Power Dissipation Pd: 2.15 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 8.5 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Current Temperature: 25°C
• On State Resistance Max: 25 МОм
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.25 Вт
• Pulse Current Idm: 25 А
• SMD Marking: ZXMN3A04D
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть