Datasheet FDR8308P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SUPERSOT-8 — Даташит
Наименование модели: FDR8308P
Купить FDR8308P на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 2 475 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков Транзистор: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | |||
| FDR8308P Fairchild | 25 ₽ | ||
| FDR8308P ON Semiconductor | от 39 ₽ | ||
| FDR8308P Fairchild | по запросу | ||
| FDR8308P99 Fairchild | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SUPERSOT-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
November 1998
FDR8308P Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
General Description
The SuperSOT-8 family of P-Channel Logic Level MOSFETs have been designed to provide a low profile, small footprint alternative to industry standard SO-8 little foot type product.
These P-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for portable electronics applications: load switching and power management, battery charging circuits, and DC/DC conversion.
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual P
- Current Id Max: 3.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.05 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Power Dissipation: 0.8 Вт
- Корпус транзистора: Super-SOT
- Количество выводов: 8
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SuperSOT-8
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: MOSFET
- Continuous Drain Current Id: 3.2 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Power Dissipation Pd: 0.8 Вт
- Pulse Current Idm: 20 А
- SMD Marking: FDR8308P
- Voltage Vds: 20 В
- Voltage Vgs th Max: -1.5 В
RoHS: есть
