Datasheet FDR8508P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SUPERSOT-8 — Даташит
Наименование модели: FDR8508P
Купить FDR8508P на РадиоЛоцман.Цены — от 118 до 11 502 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench?„? MOSFET | |||
| FDR8508P Fairchild | 118 ₽ | ||
| FDR8508P ON Semiconductor | от 130 ₽ | ||
| FDR8508P | по запросу | ||
| FDR8508P ON Semiconductor | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SUPERSOT-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
FDR8508P
March 1999
FDR8508P
Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
General Description
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual P
- Current Id Max: -3 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.052 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.8 В
- Power Dissipation: 0.8 Вт
- Корпус транзистора: Super-SOT
- Количество выводов: 8
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SuperSOT-8
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: MOSFET
- Continuous Drain Current Id: 3 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Power Dissipation Pd: 0.8 Вт
- Pulse Current Idm: 20 А
- SMD Marking: FDR8508P
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: -30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
- Voltage Vgs th Max: -3 В
RoHS: есть
