Datasheet NDH8304P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SUPERSOT-8 — Даташит
Наименование модели: NDH8304P
Купить NDH8304P на РадиоЛоцман.Цены — от 55 до 5 314 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков МОП-транзистор Dual P-Ch FET Enhancement Mode | |||
NDH8304P Fairchild | 55 ₽ | ||
NDH8304P ON Semiconductor | от 61 ₽ | ||
NDH8304P | 5 314 ₽ | ||
NDH8304P Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SUPERSOT-8
Краткое содержание документа:
May 1997
NDH8304P Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
SuperSOTTM-8 P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.
This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast high-side switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual P
- Max Current Id: -2.7 А
- Max Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 0.095 Ом
- Rds Measurement Voltage: -4.5 В
- Power Dissipation: 0.8 Вт
- Корпус транзистора: Super-SOT
- Количество выводов: 8
- Тип корпуса: SuperSOT-8
- Cont Current Id: 2.7 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 4.06 мм
- Внешняя длина / высота: 1.02 мм
- Внешняя ширина: 4.55 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Max Voltage Vgs th: -2.7 В
- Количество транзисторов: 2
- Power Dissipation Pd: 0.8 Вт
- Pulse Current Idm: 10 А
- SMD Marking: NDH8304P
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: MOSFET
- Typ Voltage Vds: -20 В
- Typ Voltage Vgs th: -0.7 В
- Voltage Vds: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
RoHS: есть