Datasheet PMWD30UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, TSSOP-8 — Даташит

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, TSSOP-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMWD30UN
Dual µTrenchMOSTM ultra low level FET
M3D647
Rev.

01 -- 22 January 2003
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.033 Ом
• Threshold Voltage Vgs Typ: 0.7 В
• Корпус транзистора: TSSOP
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: TSSOP
• Pin Configuration: D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: MOSFET
• Семейство: 4
• Capacitance Ciss Typ: 1478 пФ
• Continuous Drain Current Id: 5 А
• On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 0.04 Ом
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 0.033 Ом
• Power Dissipation Pd: 2.3 Вт
• Pulse Current Idm: 18 А
• SMD Marking: 30UN
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 10 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть