Datasheet SI1912EDH-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, 20 В, SOT363 — Даташит

Vishay SI1912EDH-T1-E3

Наименование модели: SI1912EDH-T1-E3

Купить SI1912EDH-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 35 до 66 ₽ 12 предложений от 9 поставщиков Trans MOSFET N-CH 20V 1.13A 6-Pin SC-70 T/R
AiPCBA Весь мир	SI1912EDH-T1-E3 Vishay	35 ₽
ChipWorker Весь мир	SI1912EDH-T1-E3 Vishay	35 ₽
ЧипСити Россия	SI1912EDH-T1-E3 Vishay	49 ₽
Acme Chip Весь мир	SI1912EDH-T1-E3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 20 В, SOT363

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si1912EDH
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 20 RDS(on) () 0.280 at VGS = 4.5 V 0.360 at VGS = 2.5 V 0.450 at VGS = 1.8 V ID (A) 1.28 1.13 1.0

Спецификации:

Module Configuration: Dual
Полярность транзистора: Dual N Channel
Continuous Drain Current Id: 1.28 А
Drain Source Voltage Vds: 20 В
On Resistance Rds(on): 280 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 450 мВ
Power Dissipation Pd: 570 мВт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOT-363
Количество выводов: 6
Current Id Max: 1.28 А
Тип корпуса: SOT-363
Voltage Vds Typ: 20 В
Voltage Vgs Max: 450 мВ
Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI1912EDHT1E3, SI1912EDH T1 E3