HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI4804CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN-CH, 30 В, 8 А, SO8 — Даташит

Vishay SI4804CDY-T1-GE3

Наименование модели: SI4804CDY-T1-GE3

19 предложений от 11 поставщиков
Двойной МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 8 А, 0.018 Ом, SOIC, Surface Mount
SI4804CDY-T1-GE3
Vishay
15 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI4804CDY-T1-GE3
Vishay
24 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4804CDYT1GE3
2 778 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
SI4804CDY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN-CH, 30 В, 8 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si4804CDY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: Dual N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 18 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.4 В
  • Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 8 А
  • Voltage Vgs Max: 20 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4804CDYT1GE3, SI4804CDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4804CDY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NN-CH, 30 V, 8 A, SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России