KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet SI4936CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN-CH, 30 В, 5.8 А, SO8 — Даташит

Vishay SI4936CDY-T1-GE3

Наименование модели: SI4936CDY-T1-GE3

18 предложений от 10 поставщиков
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 5.8 А, 2.3 Вт
SI4936CDY-T1-GE3
Vishay
8.16 ₽
ЧипСити
Россия
SI4936CDY-T1-GE3
Vishay
39 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4936CDY-T1-GE3
Vishay
52 ₽
Acme Chip
Весь мир
SI4936CDY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN-CH, 30 В, 5.8 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si4936CDY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: Dual N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 33 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Power Dissipation Pd: 2.3 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 5.8 А
  • Voltage Vgs Max: 20 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4936CDYT1GE3, SI4936CDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4936CDY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NN-CH, 30 V, 5.8 A, SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России