Datasheet SI4946BEY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SOIC — Даташит

Купить SI4946BEY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 1 045 ₽ 26 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8
Стандарт СИЗ Россия	SI4946BEY-T1-E3 Vishay	16 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI4946BEY-T1-E3 Vishay	42 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SI4946BEY-T1E3 Vishay	53 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	SI4946BEY-T1-E3 Vishay	135 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SOIC

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 41 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.4 В
• Рассеиваемая мощность: 2.4 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -50°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Семейство: 4946
• Current Id Max: 6.5 А
• Module Configuration: Dual
• N-channel Gate Charge: 9.2nC
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 52 МОм
• On State resistance @ Vgs = 10V: 41 МОм
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4946BEYT1E3, SI4946BEY T1 E3